[发明专利]NLDMOS的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种NLDMOS的制造方法。

背景技术

在同一芯片上同时双极型晶体管(bipolar junction transistor，BJT)，CMOS器件和DMOS器件的工艺为BCD工艺，如图1所示，是现有BCD工艺中里的开关型NLDMOS即N型LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)的结构示意图；NLDMOS主要包括：在硅衬底101上形成N型埋层(NBL)102和P型埋层(PBL)103以及深N阱(DNW)104；P型埋层103顶部形成有高压P阱(HVPW)105，高压P阱105中形成有低压P阱(LVPW)107，低压P阱107顶部表面形成有P+区，P型埋层103、高压P阱105，低压P阱107顶部的P+区形成隔离结构。

低压N阱(LVNW)106和P型体区109形成于深N阱104中，在硅衬底101表面形成有场氧隔离层108，场氧隔离层108能为局部场氧化层(LOCOS)或浅沟槽隔离氧化层(STI)。

栅氧化层110和多晶硅栅111覆盖在P型体区109的表面并用于控制沟道形成；多晶硅栅111的侧面形成有侧墙111a。

由N+区组成的源区112形成于P型体区109中且和多晶硅栅111自对准，由N+区组成的漏区113形成于低压N阱106中，漏区113和多晶硅栅111之间隔离有一个场氧隔离层108，多晶硅栅111的一端还延伸到该场氧隔离层108的上方。

在P型体区109表面还形成有P+区114，用于引出P型体区109和源区112。

层间膜115覆盖在器件表面。接触孔116穿过层间膜115和底部漏区113、P+区114和多晶硅栅111接触，顶部和正面金属层117连接并分别引出漏极、源极和栅极。

NLDMOS作为开关应用时需要具有较小的源漏导通电阻(Rdson)现有NLDMOS的制造方法包括如下步骤：

在硅衬底101上形成N型埋层102和P型埋层103后定义出深N阱104并采用N型注入加退火推进形成深N阱104；之后进行形成场氧隔离层108进行有源区(AA)定义；进行高压P阱105定义并采用注入加推进工艺形成高压P阱105，进行低压P阱107定义并采用注入加推进工艺形成低压P阱107，进行低压N阱106定义并采用注入加推进工艺形成低压N阱106。

之后在硅衬底101的正面形成栅氧化层110和多晶硅栅111。

之后进行P型体区109的制作，如图2A至图2B所示，是现有NLDMOS的制造方法中形成P型体区的步骤中的器件结构图；

采用光刻工艺形成光刻胶图形201定义出所述P型体区109的形成区域。

采用刻蚀工艺依次去除所述P型体区109的形成区域的所述多晶硅栅111和所述栅氧化层110，并将所述深N阱104表面露出。

依次进行第一次P型离子注入、第二次P型离子注入并进行快速热退火推进形成所述P型体区109。一般第二次P型离子注入的注入能量小于第一次P型离子注入能量，第二次P型离子注入的注入剂量大于第一次P型离子注入剂量，注入角度第二次P型离子注入也大一些。具体工艺条件可以参考如下值：所述第一次P型离子注入的注入杂质为硼，注入能量为150KEV，注入剂量为1E13cm^-2，注入角度为0。所述第二次P型离子注入的注入杂质为硼，注入能量为80KEV，注入剂量为3.3E13cm^-2，注入角度为30度。

之后光刻刻蚀形成如图1中所示的由所述栅氧化层110和所述多晶硅栅111叠加形成的栅极结构。

再形成侧墙111a。

如图2B所示，再采用N型重掺杂的源漏离子注入形成源区112和漏区113。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种NLDMOS的制造方法，能降低源漏导通电阻。

为解决上述技术问题，本发明提供的NLDMOS的制造方法在硅衬底上形成深N阱，低压N阱，场氧隔离层以及在所述硅衬底表面淀积栅介质层和多晶硅栅后，包括步骤：

步骤一、采用光刻工艺定义出所述P型体区的形成区域。

步骤二、采用刻蚀工艺依次去除所述P型体区的形成区域的所述多晶硅栅和所述栅介质层，并将所述深N阱表面露出。