[发明专利]NLDMOS的制造方法

权利要求书

1.一种NLDMOS的制造方法，其特征在于：在硅衬底上形成深N阱，低压N阱，场氧隔离层以及在所述硅衬底表面淀积栅介质层和多晶硅栅后，包括步骤：

步骤一、采用光刻工艺定义出P型体区的形成区域；

步骤二、采用刻蚀工艺依次去除所述P型体区的形成区域的所述多晶硅栅和所述栅介质层，并将所述深N阱表面露出；

步骤三、依次进行第一次P型离子注入、第二次P型离子注入和第三次N型离子注入，所述第二次P型离子注入的注入能量小于所述第一次P型离子注入的注入能量，所述第二次P型离子注入的注入剂量大于所述第一次P型离子注入的注入剂量，所述第三次N型离子注入的注入能量小于所述第二次P型离子注入的注入能量；

步骤四、进行快速热退火推进，由所述第一次P型离子注入和所述第二次P型离子注入的P型杂质推进后形成所述P型体区，所述P型体区延伸到所述多晶硅栅底部的区域表面用于形成沟道，所述第三次N型离子注入的N型杂质推进后在所述P型体区表面形成一第一N型区，所述第一N型区延伸到所述多晶硅栅底部的距离小于所述P型体区延伸到所述多晶硅栅底部的距离；

步骤五、采用光刻工艺定义出栅极区域，采用刻蚀工艺将栅极区域外的所述多晶硅栅和所述栅介质层去除，栅极结构由刻蚀后的所述栅介质层和所述多晶硅栅叠加形成；

步骤六、在所述栅极结构的侧面形成侧墙；

步骤七、进行N型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区，所述源区形成于所述P型体区中并和所述P型体区上的所述多晶硅栅侧面的侧墙自对准，所述第一N型区和所述源区相叠加并用于增加所述源区自对准的所述多晶硅栅侧面的侧墙底部的N型掺杂浓度并降低导通电阻。

2.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述第一次P型离子注入的注入杂质为硼，注入能量为120KEV～180KEV，注入剂量为8E12cm^-2～3E13cm^-2，注入角度为0度～30度。

3.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述第二次P型离子注入的注入杂质为硼，注入能量为70KEV～90KEV，注入剂量为1E13cm^-2～5E13cm^-2，注入角度为20度～45度。

4.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述第三次N型离子注入的注入杂质为砷或磷，注入能量为50KEV～70KEV，注入剂量为8E12cm^-2～2E13cm^-2，注入角度为0度～25度。

5.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：步骤六的所述侧墙通过采用LPTEOS工艺淀积的氧化硅层再采用全面刻蚀工艺形成；或者，步骤六的所述侧墙通过先形成的氧化硅层再形成的氮化硅层再采用全面刻蚀工艺形成。

6.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述栅介质层为栅氧化层，厚度为所述多晶硅栅的厚度为

7.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述快速热退火的温度为1000℃～1150℃，时间为20秒～40秒。

8.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：在步骤五刻蚀形成所述栅极结构进行一步快速热氧化处理，所述快速热氧化的温度为1000℃～1150℃，时间为30秒～90秒。

9.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：步骤七的所述源漏注入由3次N型离子注入递加形成，分别为：

第四次N型离子注入，注入杂质为磷，注入能量为60KEV～100KEV，注入剂量为5E13cm^-2～9E13cm^-2，注入角度为25度～45度；

第五次N型离子注入，注入杂质为砷，注入能量为40KEV～70KEV，注入剂量为2E15cm^-2～7E15cm^-2，注入角度为0度～15度；

第六次N型离子注入，注入杂质为磷，注入能量为30KEV～70KEV，注入剂量为1E14cm^-2～5E14cm^-2，注入角度为0度～15度。

10.如权利要求1所述的NLDMOS的制造方法，其特征在于：所述漏区形成于一个所述低压N阱中，所述低压N阱形成于所述深N阱中，所述漏区形成的所述低压N阱和所述P型体区相隔一定距离，在所述漏区和所述P型体区之间形成有一个所述场氧隔离层，且所述多晶硅栅延伸到所述漏区和所述P型体区之间的所述场氧隔离层上方。