[发明专利]多晶硅发射极晶体管制造方法

摘要

本发明提供一种多晶硅发射极晶体管制造方法，通过在采用局部氧化工艺对所述第一氧化层的外周区域进行氧化获得第二氧化层之后，去除第一氧化层并在去除所述第一氧化层的衬底表面生长获得第三氧化层，以及分别在第一预设区域和第二预设区域，对生长有第三氧化层的衬底进行离子注入获得第一离子注入掺杂区和第二离子注入掺杂区之后，去除第三氧化层，并在去除第三氧化层的衬底表面，生长获得覆盖第一离子注入掺杂区和第二离子注入掺杂区的第四氧化层，最终在第四氧化层表面进行刻蚀，获得贯穿第四氧化层的发射区窗口，避免了现有方法中发射区窗口尺寸做不小，晶体管特征频率做不大、高频特性差的问题。

主权项

1.一种多晶硅发射极晶体管制造方法，其特征在于，包括：在衬底表面生长获得第一氧化层，采用局部氧化工艺对所述第一氧化层的外周区域进行氧化获得第二氧化层；所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度；去除所述第一氧化层，并在去除所述第一氧化层的衬底表面生长获得第三氧化层；分别在第一预设区域和第二预设区域，对生长有所述第三氧化层的衬底进行离子注入获得第一离子注入掺杂区和第二离子注入掺杂区；所述第一离子注入掺杂区的离子注入剂量小于所述第二离子注入掺杂区的离子注入剂量；去除所述第三氧化层，并在去除所述第三氧化层的衬底表面，生长获得覆盖所述第一离子注入掺杂区和所述第二离子注入掺杂区的第四氧化层；对生长有第四氧化层的衬底进行热处理工艺，以激活所述第一离子注入掺杂区和所述第二离子注入掺杂区中的掺杂元素进行扩散，分别获得第一扩散区和第二扩散区；在所述第四氧化层表面，对应所述第一扩散区的区域内，进行刻蚀，获得贯穿所述第四氧化层的发射区窗口；在所述发射区窗口内形成多晶硅，以及覆盖所述多晶硅的发射极金属电极；在所述第四氧化层表面，对应所述第二扩散区的区域内，进行刻蚀，获得贯穿所述第四氧化层的接触孔；在所述接触孔内形成基极金属电极；其中，所述多晶硅为N型多晶硅，所述第一离子注入掺杂区为第一P型离子注入掺杂区，所述第二离子注入掺杂区为第二P型离子注入掺杂区。