[发明专利]一种PSM对准标记结构的制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种PSM对准标记结构的制备方法，通过于浅沟槽隔离结构上方设置样本栅，在该样本栅的顶部制备掩膜堆叠，且在高介电常数金属栅极的工艺中，由于浅沟槽隔离结构和有源区的台阶高度使得部分该掩膜堆叠得以保留，并籍由位于该样本栅之上的残留的掩膜堆叠保障第二样本栅在研磨过程中免受损伤，从而使得该样本栅的厚度得以完整保留，进而提高了接触孔与金属栅的对准质量，且该工艺简单方便，与传统工艺的兼容性强，具有很强的实用性。

主权项

1.一种PSM对准标记结构的制备方法，应用于高介电常数金属栅极工艺中，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一具有浅沟槽隔离结构和有源区的衬底，所述衬底的表面设置有介质层，所述介质层中形成有位于所述有源区上方的第一栅槽和位于所述浅沟槽隔离结构上方的第二栅槽，所述第一栅槽内设置有第一样本栅，所述第二栅槽内设置有第二样本栅，且所述第一样本栅的长度等于所述第一栅槽的深度，所述第二样本栅的长度小于所述第二栅槽的深度；步骤S2、制备一掩膜堆叠覆盖在所述第一样本栅和所述第二样本栅的顶部，并将所述第二栅槽内位于所述第二样本栅之上的间隙空间完全予以填充；步骤S3、完全移除位于第一样本栅之上的掩膜堆叠，同时移除第二样本栅之上的一部分掩膜堆叠并在第二样本栅之上保留部分掩膜堆叠；步骤S4、对所述介质层进行研磨，以移除部分所述第一样本栅并对第二样本栅之上的余下的掩膜堆叠进行部分移除；步骤S5、刻蚀以完全移除第一栅槽内余下的第一样本栅；步骤S6、填充金属至第一栅槽内并进行研磨，籍由第二样本栅之上的残留的掩膜堆叠保障第二样本栅在研磨过程中免受损伤。