[发明专利]具有非晶二氧化硅中间过渡层的金刚石薄膜的制备方法在审
申请号: | 201510056982.0 | 申请日: | 2015-02-03 |
公开(公告)号: | CN104674185A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 孙方宏;崔雨潇;张文骅;沈彬;郭睿;张志明;郭松寿 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司;上海交友钻石涂层有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/02 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中;陈少凌 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有非晶二氧化硅中间过渡层的金刚石薄膜的制备方法,所述方法以硬质合金为衬底,以含硅有机大分子前驱体裂解为手段,首先在衬底表面得到非晶二氧化硅中间过渡层薄膜;然后采用化学气相沉积法为制备手段,在非晶二氧化硅中间过渡层表面原位沉积制备微米金刚石薄膜。本发明制备的非晶二氧化硅中间过渡层可以改善两步法预处理后硬质合金的粗化表面形貌,能够增强金刚石薄膜与硬质合金衬底间附着力,同时降低金刚石薄膜的表面粗糙度,改善金刚石薄膜的摩擦磨损性能,从而提高金刚石涂层刀具的使用寿命和切削性能。 | ||
搜索关键词: | 具有 二氧化硅 中间 过渡 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有非晶二氧化硅中间过渡层的金刚石薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:A、对硬质合金衬底采用两步预处理方法,使硬质合金衬底表面得到粗化并去除粘结钴相;B、应用前驱体裂解法对经过所述步骤A预处理后的硬质合金衬底进行非晶二氧化硅中间过渡层的沉积,获得非晶二氧化硅薄膜,即所述非晶二氧化硅中间过渡层;C、采用热丝化学气相沉积法在所述非晶二氧化硅中间过渡层表面原位沉积微米金刚石薄膜,以获得晶形完整的微米金刚石薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司;上海交友钻石涂层有限公司;,未经上海交通大学;苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司;上海交友钻石涂层有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510056982.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的