[发明专利]用于制造集成电路的光掩模和方法有效
申请号: | 201510052976.8 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN105988283B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 林俊羽;陈奕杰;邱丰源;郑英周;吕奎亮;张雅惠;刘如淦;高蔡胜 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人: | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | 本发明提供了用于制造集成电路的光掩模和方法。光掩模包括:封闭在至少一个第一区域和至少一个第二区域中的多个主要部件,其中,第一区域包括单个主要部件并且第二区域包括多个主要部件;以及设置在第一区域和第二区域之间或者设置在第二区域之间的多个辅助部件。光掩模提高了临界尺寸的精度并且有利于制造集成电路。本发明涉及用于制造集成电路的光掩模和方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 集成电路 光掩模 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,包括:/n多个主要部件,封闭在至少一个第一区域和至少一个第二区域中,其中,所述第一区域包括单个所述主要部件并且所述第二区域包括多个所述所述主要部件,多个所述主要部件均为条形形状;以及/n多个辅助部件,设置在所述第一区域和所述第二区域之间,或者设置在所述第二区域之间,其中,多个所述主要部件用于在光刻胶层的顶面上形成多个沟槽,多个辅助部件用于在所述顶面上形成比多个沟槽浅的多个浅凹。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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