[发明专利]一种栅极及其形成方法有效
| 申请号： | 201510048272.3 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105990403B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;殷华湘;闫江;李俊峰;杨涛;刘金彪;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅极的形成方法，包括：在栅介质层上形成单层且掺杂的金属功函数调节层，以使得目标功函数介于金属功函数层与掺杂的粒子的功函数之间；在金属功函数调节层上形成其他栅极层。该方法易于进行阈值电压的调节，且工艺简单，无需通过多层金属栅极来实现，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在衬底上形成第一硬掩膜；刻蚀衬底形成鳍；进行平坦化，并形成隔离层；沉积伪栅介质材料和伪栅材料，并图案化后形成伪栅介质层和伪栅极；在伪栅极的侧壁上形成侧墙；在鳍的端部外延生长源漏区，并形成伪栅器件；去除伪栅介质层和伪栅极，以形成开口，并沉积形成栅介质层；在栅介质层上形成单层且掺杂的金属功函数调节层，以使得目标功函数介于金属功函数层与掺杂的粒子的功函数之间；在金属功函数调节层上形成其他栅极层；形成栅介质层的步骤包括：在鳍式场效应晶体管的鳍上形成栅介质层；在栅介质层上形成单层且掺杂的金属功函数调节层的步骤包括：采用原子层沉积工艺，淀积单层的金属功函数调节层；采用化学气相沉积工艺，继续淀积金属功函数调节层，并通入含有掺杂粒子的气体，以得到目标功函数；进行退火，以激活掺杂。
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