[发明专利]半导体存储器件及包括其的系统在审
| 申请号： | 201510047100.4 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104821182A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 安尙太;曺圭锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括层叠在衬底之上并且彼此串联耦接的多个正常存储器单元、串联耦接的多个选择晶体管、以及耦接在所述多个正常存储器单元与所述多个选择晶体管之间的一个或多个虚设存储器单元，其中所述多个选择晶体管包括第一选择晶体管和第二选择晶体管，并且所述第一选择晶体管相邻于所述虚设存储器单元并且具有比所述第二选择晶体管低的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 包括 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：多个正常存储器单元，层叠在衬底之上并且彼此串联耦接；串联耦接的多个选择晶体管；以及一个或多个虚设存储器单元，耦接在所述多个正常存储器单元与所述多个选择晶体管之间，其中，所述多个选择晶体管包括第一选择晶体管和第二选择晶体管，以及其中，所述第一选择晶体管相邻于所述虚设存储器单元，并且具有低于所述第二选择晶体管的阈值电压。
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