[发明专利]半导体器件和IO单元有效
| 申请号： | 201510037432.4 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104810348B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 中山圭介 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个方面，半导体器件和IO单元，包括：在第一方向上交替地布置的多个第一电源线和多个第二电源线，第一电源线和第二电源线均被供应有电功率，其中被供应至第一电源的电功率的电压不同于被供应至第二电源的电功率的电压；以及形成于与在其中布置第一电源线和第二电源线的布线层不同的布线层中的第三电源线，第三电源线通过过孔被连接至多个第一电源线之中的相邻的第一电源线，其中第一电源线、第二电源线和第三电源线中的所有电源线被形成为以便在垂直于第一方向的第二方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 io 单元 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成MOSFET；第一布线层，其中在第一方向上交替地布置有被供应有第一电功率的多个第一电源线和被供应有第二电功率的多个第二电源线，所述第一布线层形成在所述半导体衬底之上；以及第二布线层，其中设置有通过多个第一过孔被连接至所述多个第一电源线之中的相邻的第一电源线的第三电源线，所述第二布线层形成在所述半导体衬底之上，所述第三电源线被供应有所述第一电功率，并且所述第二布线层是与所述第一布线层不同的层，第三布线层，其中设置有通过多个第二过孔被连接至所述第三电源线的第四电源线，所述第三布线层形成在所述半导体衬底之上，所述第四电源线被供应有所述第一电功率，并且所述第三布线层是与所述第一布线层和所述第二布线层不同的层，其中所述第一电源线、所述第二电源线、所述第三电源线和所述第四电源线中的所有电源线被形成为以便在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且其中所述多个第二过孔的数目大于所述多个第一过孔的数目。
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