[发明专利]一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法在审
| 申请号： | 201510036334.9 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104624336A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 刘水平;夏清明;刘伟峰;谭连江 | 申请（专利权）人： | 江苏启弘新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B02C19/06 | 分类号： | B02C19/06;C09K11/67;C09K11/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法，将金属氧化物半导体通过机械粉碎的方法使得颗粒的直径减小，从而获得直径为10-50纳米的金属氧化物半导体量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 量子 简单 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体量子点的简单制备方法，其特征是通过机械粉碎的方法，将直径超过500纳米的半导体金属氧化物粉末粉碎至直径10‑50纳米范围，其步骤为：1)称取一定量的金属氧化物半导体粉末，加入到设定好的机械粉碎装置中，进行粉碎；2)将上一步粉碎得到的粉末重复进行粉碎，得到相应的金属氧化物半导体量子点。
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