[发明专利]一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法在审
| 申请号： | 201510032621.2 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104599952A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘胜北;何志;刘斌;刘兴昉;杨香;樊中朝;王晓峰;王晓东;赵永梅;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述碳化硅晶体进行刻蚀，形成沟槽结构；步骤4、在高温环境下，通入刻蚀气体，去除碳化硅晶体上形成的刻蚀损伤层；步骤5、在室温环境下，去除所述碳化硅晶体上的氮化铝掩膜层。在碳化硅沟槽器件制备过程中，采用此方法后，可以有效的去除等离子刻蚀的损伤层，提高碳化硅沟槽器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 碳化硅 等离子体 刻蚀 形成 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述碳化硅晶体进行刻蚀，形成沟槽结构；步骤4、在高温环境下，通入刻蚀气体，去除碳化硅晶体上形成的刻蚀损伤层；步骤5、在室温环境下，去除所述碳化硅晶体上的氮化铝掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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