[发明专利]非挥发性存储器的制造方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器的制造方法。在基底上依序形成复合层、第一导体层及第一顶盖层。在基底中形成沿第一方向延伸的多个元件隔离结构，上述元件隔离结构的表面位于第一顶盖层与基底之间。对第一顶盖层、第一导体层、复合层以及基底进行图案化，以于基底中形成沿第二方向延伸的多个沟槽，其中第一方向与第二方向交错。在沟槽中形成绝缘层及第二导体层，其中绝缘层环绕而包覆第二导体层。移除第一顶盖层，并在暴露出的绝缘层的两侧分别形成第二顶盖层。以第二顶盖层为掩模，图案化第一导体层以及复合层，以使第一导体层形成为控制栅极。

主权项

1.一种非挥发性存储器的制造方法，包括：在一基底上依序形成一复合层、一第一导体层及一第一顶盖层；对该第一顶盖层、该第一导体层、该复合层以及该基底进行图案化，以于该基底中形成多个浅沟槽，该些浅沟槽沿一第一方向延伸；在该些浅沟槽中分别形成一元件隔离结构，该元件隔离结构的表面位于该顶盖层与该基底之间；对该第一顶盖层、该第一导体层、该复合层以及该基底进行图案化，以于该基底中形成多个沟槽，该些沟槽沿一第二方向延伸，其中该第一方向与该第二方向交错；在该些沟槽中形成一绝缘层及一第二导体层，其中该绝缘层环绕而包覆该第二导体层；移除该第一顶盖层，并在暴露出的该绝缘层的两侧分别形成一第二顶盖层；以及以该第二顶盖层为掩模，图案化该第一导体层以及该复合层，以使该第一导体层形成为控制栅极。