[发明专利]一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 201510024107.4 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN105839189B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 孟祥敏;王磊;黄兴;夏静;黄奔;朱丹丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/64 | 分类号： | C30B29/64;C30B29/16;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片，所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得，相比于其它的ZnO纳米片，本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好，更便于剥离使用。本发明还公开了二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉、衬底放入管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品，衬底上生长了原子层厚度的ZnO纳米片。该方法制备步骤简单、耗时少、重复性高。 1 | ||
| 搜索关键词： | 单晶纳米片 二维原子 层厚度 纳米片 制备 原子层 衬底 炉抽真空 升温程序 压缩空气 自然降温 管式炉 机械泵 结晶性 热蒸发 对管 放入 锌粉 耗时 剥离 取出 生长 | ||
【主权项】：
1.一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）取锌粉放入容器中，然后将容器放在管式炉的加热区；2）将衬底放在锌粉正上方；3）管式炉抽真空，充入压缩空气；4）管式炉升温，待反应结束后使管式炉自然降温；5）取出产物，衬底上生长了大面积的原子层厚度的ZnO纳米片；所述ZnO单晶纳米片厚度为0.5nm‑2nm。
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