[发明专利]一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu3‑xP纳米晶及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu3‑xP纳米晶及其制备方法。具体而言，本发明的方法包括铜前驱体的制备、Cu3‑xP纳米晶的合成以及高温加热后处理三个步骤，通过调控反应条件可以获得尺寸大小为5.3~44.2nm，局域表面等离子体共振吸收峰在1390~1710nm范围内可调的Cu3‑xP纳米晶材料，正好覆盖光通信的C波段（1530~1565nm）和L波段（1565~1625nm），而且共振吸收的强度也可以通过高温加热进行调控，这使得此材料在光通信和脉冲激光器方面有着巨大的应用前景。

主权项

一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu3‑xP纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：1）将铜试剂、三烷基膦和油胺加入到反应容器中，在50~150℃下搅拌并抽真空，直至铜试剂完全溶解，反应液无气泡且为澄清透明状，得到铜前驱体，其中所述铜试剂和三烷基膦的摩尔比为1:2~6；2）向反应容器中通入惰性气体，并调节至60~180℃的设定温度，将三(三甲基硅烷基)膦和十八烯混合均匀后快速转移至步骤1）中得到的铜前驱体中，并继续反应5~30分钟，其中所述三(三甲基硅烷基)膦和铜试剂的摩尔比为1~8:12；3）将温度升至300℃并继续反应一段时间，所述时间与步骤2）中所述反应的时间相同；4）反应完毕后，将反应液降至室温，通过丙酮沉淀、离心弃去上层液及真空抽干的后处理，得到自掺杂局域表面等离子体共振Cu3‑xP纳米晶。