[发明专利]氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201510013715.5 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN104538518B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;寻飞林;李志明;邓和清;杜伟华;徐宸科;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，氮化物发光二极管，依次包括n型氮化物层，发光层、p型氮化物层，所述发光层为垒层和阱层构成的多量子阱结构，其中在靠近n型氮化层的至少一个阱层内插入AlGaN电子隧穿层，其势垒高度大于所述垒层的势垒高度，所述AlGaN电子隧穿层与所述阱层的势垒足够高，使得电子较难以热电子发射方向跃迁，而主要以隧穿的方式在InGaN的阱层中进行跃迁，以限制电子的迁移速率和调节电子的分布，降低电子溢至p型氮化物层的机率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
氮化物发光二极管，依次包括：n型氮化物层，发光层、p型氮化物层，其特征在于：所述发光层为垒层和阱层构成的多量子阱结构，其中在靠近n型氮化物层的至少一个阱层内插入AlGaN电子隧穿层，其Al组分x的取值范围为：1＞x≥0.3，所述AlGaN电子隧穿层的势垒高度大于所述垒层的势垒高度，且所述阱层与所述AlGaN电子隧穿层的势垒足够高，使得电子较难以热电子发射方向跃迁，而主要以隧穿的方式在InGaN的阱层中进行跃迁。
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