[发明专利]具有多成分电极的电阻式存储器设备有效
| 申请号： | 201480078047.8 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106537510B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 盛夏;Y.耶安;杨建华;H.S.乔;R.H.亨泽 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王健;陈岚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电阻式存储器设备，其包括导体和与导体接触的电阻式存储器堆叠。该电阻式存储器堆叠包括多成分电极和切换区域。该多成分电极包括具有表面的基极和在该基极表面上、采用i）薄层，或者ii）不连续纳米岛的形式的惰性材料电极。当惰性材料电极采用薄层形式时，切换区域与导体并且与惰性材料电极接触；或者当惰性材料电极采用不连续纳米岛形式时，切换区域与导体、与惰性材料电极并且与基极的氧化部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 成分 电极 电阻 存储器 设备 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器设备，包括：导体，和电阻式存储器堆叠，其放置为与导体接触，所述电阻式存储器堆叠包括：多成分电极，其包括：基极，其具有表面；以及惰性材料电极，其采用i）薄层或者ii）不连续纳米岛的形式位于所述基极表面上；以及以下之一：i）当惰性材料电极采用薄层的形式时，与导体并且与惰性材料电极接触的切换区域；或者ii）当惰性材料电极采用不连续纳米岛的形式时，与导体、与惰性材料电极并且与基极的氧化部分接触的切换区域；其中所述切换区域包括：金属氧化物层，其具有富氧部分和缺氧部分；以及金属层，其与缺氧部分并且与导体接触。
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