[发明专利]用于光辅助金属原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体和工艺设计

摘要

描述了用于光辅助金属原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)的前体和工艺设计。在一个实例中，制造金属薄膜的方法涉及紧邻衬底之上或上方的表面引入前体分子，所述前体分子的每一个均包含被配体包围的一个或多个金属中心。所述方法还包括通过使用光辅助工艺从所述前体分子离解配体而在表面上沉积金属层。

主权项

1.一种制造用于集成电路的互连结构的方法，所述方法包括：提供包括具有第一方向的交替的金属线和电介质线第一光栅图案的先前层金属化结构；在所述先前层金属化结构上方形成电介质线第二光栅图案，所述电介质线第二光栅图案具有垂直于所述第一方向的第二方向；在所述第一光栅图案上方并且在所述第二光栅图案的电介质线之间形成牺牲结构；用第一电介质层替代在所述第一光栅图案的金属线上方且与所述第一光栅图案的金属线对准的牺牲结构的各部分，以及用第二电介质层替代在所述第一光栅图案的电介质线上方且与所述第一光栅图案的电介质线对准的牺牲结构的各部分；通过使用光辅助工艺，在所述第一光栅图案的金属线的曝光部分的表面上形成所述第一电介质层中的一个或多个导电通孔的至少一部分，其中使用光辅助工艺包括：紧邻所述金属线的曝光部分的表面引入前体分子，所述前体分子的每一个均包含被配体包围的一个或多个金属中心；以及通过使用光离解从所述前体分子离解配体而在所述金属线的曝光部分的表面上沉积金属层；使所述第一和第二电介质层的各部分凹陷；以及在所述第一和第二电介质层的凹陷部分中形成多个与所述一个或多个导电通孔耦合的金属线，所述多个金属线具有所述第二方向。