[发明专利]用于在单个管芯上实现多个晶体管鳍部尺寸的技术有效
| 申请号： | 201480076296.3 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106030814B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;A·S·默西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于在单个管芯或半导体衬底上获得多个鳍部尺寸的技术。在某些情形下，通过使用修整蚀刻工艺光刻地限定(例如，硬掩模和图案化)待修整的区域来实现多个鳍部尺寸，留下管芯的剩余部分未受影响。在某些这样的情形下，当在替代栅极工艺期间再次暴露出鳍部的沟道区时，仅在这些沟道区上执行修整蚀刻。修整蚀刻可以使得被修整的鳍部的宽度(或仅仅这些鳍部的沟道区)变窄例如2‑6nm。替代地或另外地，修正可以减小鳍部的高度。技术可以包括任意数量的图案化和修整工艺以实现在给定管芯上的多个鳍部尺寸和/或鳍部沟道尺寸，这对于集成电路和片上系统(SOC)应用可以是有用的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 单个 管芯 实现 晶体管 尺寸 技术 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：第一组鳍部，所述第一组鳍部形成在衬底上并且由所述衬底形成，所述第一组鳍部均具有源极/漏极区和沟道区，其中，所述第一组鳍部在所述源极/漏极区中均具有第一宽度(W1)并且在所述沟道区中均具有第二宽度(W2)，并且其中，W2小于W1；以及第二组鳍部，所述第二组鳍部形成在所述衬底上并且由所述衬底形成，所述第二组鳍部均具有源极/漏极区和沟道区，其中，所述第二组鳍部在所述源极/漏极区和所述沟道区中均具有第三宽度(W3)。
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