[发明专利]锗锡沟道晶体管有效
| 申请号： | 201480076167.4 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106030812B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | R·皮拉里塞泰;V·勒;W·拉赫马迪;R·科特利尔;M·拉多斯弗尔耶维奇;H·W·田;S·达斯古普塔;G·杜威;B·舒-金;J·卡瓦列罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/11 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 讨论了与具有锗锡的集成电路和晶体管、包含这些晶体管的系统、以及用于形成这种集成电路的方法相关的技术。这些晶体管包括沟道区，该沟道区包括鳍部的锗锡部分，以使得鳍部包括被设置在衬底上方的缓冲层以及被设置在缓冲层上方的锗锡部分。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，所述集成电路包括：晶体管，所述晶体管包括：沟道区，所述沟道区包括鳍部的锗锡部分，其中，所述鳍部包括被设置在衬底上方的缓冲层以及被设置在所述缓冲层上方的所述锗锡部分；栅极，所述栅极被设置在所述沟道区上方；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极耦合到所述鳍部，其中，所述沟道区在所述源极与所述漏极之间；以及第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二沟道区，所述第二沟道区包括第二鳍部的第二锗锡部分，其中，所述第二鳍部包括被设置在所述衬底上方的第二缓冲层以及被设置在所述第二缓冲层上方的所述第二锗锡部分，其中，所述沟道区和所述第二沟道区包括不同浓度的锡。
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