[发明专利]电接点材料及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480074640.5 申请日: 2014-02-05
公开(公告)号: CN105940463B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 小林良聪;铃木智 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: H01B5/02 分类号: H01B5/02;C25D5/10;C25D7/00;H01B1/02;H01B13/00;H01H1/04;H01H1/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的课题在于提供一种长期可靠性高的电接点材料及其制造方法,该电接点材料即便在滑动负载为50gf以上、例如100gf左右的高负载条件下也显示出优异的耐磨耗性,同时特别是在长时间暴露于大气这样的苛刻环境下也可以使用,例如在H2S气体或SO2气体气氛下等腐蚀环境下的加速试验后也能够大幅抑制电接点材料的接触电阻上升。本发明涉及一种电接点材料及其制造方法,该电接点材料在导电性基体(1)的表面上具有第1贵金属层(2),在所述第1贵金属层(2)的表面上具有第2贵金属层(3),所述第1贵金属层的表面的算术平均粗糙度Ra=Aμm、且A<1,并且该第1贵金属层的硬度Hv为150以上,所述第2贵金属层的厚度超过Aμm且为1μm以下,并且该第2贵金属层的表面的算术平均粗糙度Ra=Bμm、且B≤0.1。
搜索关键词: 接点 材料 及其 制造 方法
【主权项】:
一种电接点材料,该电接点材料在导电性基体的表面上具有第1贵金属层,在所述第1贵金属层的表面上具有第2贵金属层,该电接点材料的特征在于,所述第1贵金属层的表面的算术平均粗糙度Ra=Aμm、且A<1,并且该第1贵金属层的硬度Hv为150以上,所述第2贵金属层为金镀层,其厚度超过Aμm且为1μm以下,并且该第2贵金属层的表面的算术平均粗糙度Ra=Bμm、且B≤0.1,所述导电性基体的母相的平均晶粒尺寸为1μm以下,在镀层中晶界扩散分散,利用电镀法设置所述第1贵金属层和第2贵金属层中的至少一层。
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