[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置

摘要

本发明抑制伴随电力变换装置的大输出化而来的芯片温度的上升，并实现电力变换装置的小型化。本发明的半导体装置具备：构成逆变器电路的上臂的第1功率半导体元件(1a)；构成逆变器电路的下臂的第2功率半导体元件(1c)；向第1功率半导体元件(1a)传达电力的第1引线框架(3)；向第2功率半导体元件(1c)传达电力的第2引线框架(4)；向第1功率半导体元件(1a)传达控制信号的第1栅极引线框架(5)；以及封装第1功率半导体元件(1a)、第2功率半导体元件(1c)、第1引线框架(3)、第2引线框架(4)、第1栅极引线框架(5)的封装构件，上述封装构件上形成有贯通孔，在上述贯通孔的内周面，第1栅极引线框架的一部分外露，且第2引线框架(4)的一部分外露。

主权项

1.一种功率半导体装置的制造方法，所述功率半导体装置具备：构成逆变器电路的上臂的第1功率半导体元件；构成所述逆变器电路的下臂的第2功率半导体元件；向所述第1功率半导体元件传达电力的第1引线框架；向所述第2功率半导体元件传达电力的第2引线框架；所述第1功率半导体元件传达控制信号的第1栅极引线框架；以及封装所述第1功率半导体元件、所述第2功率半导体元件、所述第1引线框架、所述第2引线框架、以及所述第1栅极引线框架的封装构件，所述功率半导体装置的制造方法的特征在于，包括：第1工序，用所述封装构件将第2功率半导体元件加以封装，该第2功率半导体元件是安装在一体地形成有所述第1栅极引线框架与所述第2引线框架的引线框架上的元件；以及第2工序，在所述封装构件上形成贯通孔，且将连接所述第1栅极引线框架与所述第2引线框架的连接部切断。