[发明专利]FINFET装置的设计和集成在审
| 申请号： | 201480067898.2 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN105814672A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | R·金姆;K·利姆;Y·S·崔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在所描述的示例中，包含finFET(114、116)的集成电路(100)可以被形成有在绝缘氧化物(110)上延伸的鳍(104)。第一finFET(114)和第二finFET(116)具有相差至少25％的暴露鳍高度(118、120)。暴露鳍高度(118、120)是鳍(104)的在绝缘氧化物(110)上的侧壁的垂直高度。栅极(112)被形成在鳍(104)上。在一个版本中，所述第一finFET(114)的鳍高度(118)是少于所述第二finFET(116)的鳍高度(120)；与所述第一finFET(114)和所述第二finFET(116)的鳍(104)相邻的所述绝缘氧化物(110)的厚度(122)是大体上相等的。鳍高度(124、126)是鳍(104)的顶部的在基板(102)上的高度。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 装置 设计 集成 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包括：基板，其包括半导体材料；绝缘氧化物，其设置在所述基板上；第一鳍式场效应晶体管，即第一finFET，所述第一finFET包括：在所述基板上设置的半导体材料的第一鳍，其中所述绝缘氧化物被设置为与所述第一鳍相邻，所述第一鳍具有第一暴露鳍高度；以及第一栅极，其被设置在所述第一鳍上并且沿所述第一鳍的侧壁向下延伸；以及第二finFET，所述第二finFET包括：在所述基板上设置的半导体材料的第二鳍，其中所述绝缘氧化物被设置为与所述第二鳍相邻，所述第二鳍具有第二暴露鳍高度，使得所述第一暴露鳍高度和所述第二暴露鳍高度的高度相差至少25％；以及第二栅极，其被设置在所述第二鳍上并且沿所述第二鳍的侧壁向下延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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