[发明专利]半导体器件和包括该器件的半导体电路有效
| 申请号： | 201480065839.1 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN105993078B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 约翰·谷内 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/772;H01L27/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第二导电型衬底，包括第一第一导电型掺杂层；以及多个器件，在所述第二导电型衬底上，其中所述器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，在所述第一第一导电型掺杂层上；第二氮化物半导体层，在所述第一导电型掺杂层与所述第一氮化物半导体层之间与所述第一氮化物半导体层共同形成第一异质结界面；第一接触，配置为被电连接到所述第一异质结界面；以及接触连接器，配置为将所述第一接触电连接至所述第一第一导电型掺杂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 器件 半导体 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第二导电型衬底，包括第一第一导电型掺杂层；以及多个器件，在所述第二导电型衬底上，其中所述多个器件中的第一器件包括：第一氮化物半导体层，在所述第一第一导电型掺杂层上；第二氮化物半导体层，在所述第一导电型掺杂层与所述第一氮化物半导体层之间与所述第一氮化物半导体层共同形成第一异质结界面；第一接触，配置为被电连接到所述第一异质结界面；以及接触连接器，配置为将所述第一接触电连接至所述第一第一导电型掺杂层。
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