[发明专利]荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置在审
| 申请号： | 201480065679.0 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105793388A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 平松亮介;田村淳;石田邦夫;阿尔贝萨惠子;加藤雅礼 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C09K11/61 | 分类号： | C09K11/61;C09K11/08;C09K11/59;C09K11/62;C09K11/64;C09K11/68;C09K11/84;H01L33/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供发光效率较高的红色发光荧光体、发光器件以及荧光体的制造方法。所述红色发光荧光体的特征在于：其基本组成用式：Ka(Si1‑x,Mnx)Fb表示，在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Mn‑F键的峰值强度相对于出现在拉曼位移为650±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Si‑F键的峰值强度之比为0.09～0.22。该荧光体可以通过使硅源与氟化氢相对于高锰酸钾的摩尔比为87～127的反应溶液接触来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 及其 制造 方法 以及 使用 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种荧光体，其特征在于，所述荧光体的基本组成用下述式(A)表示：Ka(Si1‑x，Mnx)Fb (A)式中，1.5≤a≤2.5、5.5≤b≤6.5、且0＜x≤0.06；在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Mn‑F键的峰值强度I1相对于出现在拉曼位移为650±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Si‑F键的峰值强度I0之比I1/I0为0.09～0.22。
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