[发明专利]荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其特征在于，所述荧光体的基本组成用下述式(A)表示：

K_a(Si_1-x，Mn_x)F_b(A)

式中，1.5≤a≤2.5、5.5≤b≤6.5、且0＜x≤0.06；

在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm^-1的范围且归属于 晶体中的Mn-F键的峰值强度I₁相对于出现在拉曼位移为650±10cm^-1的范围且归属于晶体 中的Si-F键的峰值强度I₀之比I₁/I₀为0.09～0.22。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述荧光体的内量子效率为80％以上。

3.一种荧光体的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括以下工序：使硅源与含有高 锰酸钾和氟化氢的反应溶液接触而进行反应；其中，所述反应溶液中的氟化氢相对于高锰 酸钾的摩尔比为87～127。

4.根据权利要求3所述的荧光体的制造方法，其中，所述反应溶液中的氟化氢浓度为27 ～40质量％。

5.根据权利要求3或4所述的荧光体的制造方法，其中，硅源从单晶硅、多晶硅、非晶质 硅、结晶性二氧化硅以及非晶质二氧化硅中加以选择。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的荧光体的制造方法，其中，硅源为硅基板。

7.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置具有：发光元件，其发出440nm～470nm波 长区域的光；和荧光体层，其含有权利要求1或2所述的荧光体。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述发光层包含在520nm～570nm的波 长区域具有主发光峰值的荧光体。

9.根据权利要求7或8所述的发光装置，其中，所述荧光体层进一步含有绿色发光荧光 体或者黄色发光荧光体。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述绿色发光荧光体或者黄色发光荧光体 从(Sr,Ca,Ba)₂SiO₄：Eu、Ca₃(Sc,Mg)₂Si₃O₁₂：Ce、(Y,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂：Ce、(Ca,Sr,Ba)Ga₂S₄： Eu、(Ca,Sr,Ba)Si₂O₂N₂：Eu以及(Ca,Sr)-αSiAlON中加以选择。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的发光装置，其中，所述荧光体层进一步含有橙 色发光荧光体或者红色发光荧光体。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中，所述橙色发光荧光体或者红色发光荧光体 从(Sr,Ca,Ba)₂SiO₄：Eu、Li(Eu,Sm)W₂O₈、(La,Gd,Y)₂O₂S：Eu、(Ca,Sr,Ba)S：Eu、(Sr,Ba,Ca) ₂Si₅N₈：Eu以及(Sr,Ca)AlSiN₃：Eu中加以选择。