[发明专利]荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置。

背景技术

发光二极管(Light-emittingDiode：LED)发光装置主要由作为激发光源的LED芯 片和荧光体的组合构成，通过其组合可以实现各种颜色的发光色。

放出白色光的白色LED发光装置可以使用放出蓝色区域的光的LED芯片和荧光体 的组合。例如，可以列举出放出蓝色光的LED芯片和荧光体混合物的组合。作为荧光体，主要 可以使用作为蓝色的补色的黄色发光荧光体，可以作为伪白色光LED发光装置使用。除此以 外，还进行了使用放出蓝色光的LED芯片、绿色或者黄色发光荧光体、以及红色发光荧光体 的3波长型白色LED的开发。作为在这样的发光装置中使用的红色发光荧光体之一，为人所 知的有K₂SiF₆：Mn荧光体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2009-528429号公报

非专利文献

非专利文献1：J.Electrochem.Soc.158(6)J179-183(2011)

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于：提供采用在蓝色区域具有发光峰值的光进行激发而发光的红 色发光荧光体、这样的荧光体的制造方法、以及使用这样的荧光体的发光装置。

用于解决课题的手段

本发明的一实施方式涉及一种红色发光荧光体，其特征在于，所述红色发光荧光 体的基本组成用下述式(A)表示：

K_a(Si_1-x，Mn_x)F_b(A)

(式中，1.5≤a≤2.5，5.5≤b≤6.5，0＜x≤0.06)

在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm^-1的范围且归 属于晶体中的Mn-F键的峰值强度相对于出现在拉曼位移为650±10cm^-1的范围且归属于晶 体中的Si-F键的峰值强度之比为0.09～0.22。

本发明的一实施方式涉及一种荧光体的制造方法，所述制造方法包括：准备含有 高锰酸钾和氟化氢的水溶液作为反应溶液，将硅源浸渍在所述反应溶液中而使其反应；所 述制造方法的特征在于：所述反应溶液中的氟化氢相对于高锰酸钾的摩尔比为87～127。

本发明的一实施方式涉及一种发光装置，其特征在于，所述发光装置具有：发光元 件，其发出440nm～470nm波长区域的光；和荧光体层，其含有所述荧光体。

附图说明

图1是实施方式的荧光体的拉曼光谱。

图2是表示通过拉曼光谱测定检测得到的与Mn-F键相对应的峰值强度相对于与 Si-F键相对应的峰值强度之比和内量子效率(internalquantumefficiency)之间的关系 的图。

图3是表示通过拉曼光谱测定检测得到的与Mn-F键相对应的峰值强度相对于与 Si-F键相对应的峰值强度之比和外量子效率(externalquantumefficiency)之间的关系 的图。

图4是本发明的一实施方式的发光装置的剖视图。

图5是本发明的其它实施方式的发光装置的剖视图。

图6是表示吸收率、内量子效率以及外量子效率相对于反应溶液的[HF]浓度的变 化的图。

图7是表示荧光体收率相对于反应溶液的[HF]浓度的关系的图。

具体实施方式

下面就本发明的实施方式进行详细的说明。以下所示的实施方式表示的是为了使 本发明的技术构思具体化的荧光体以及发光装置，本发明并不局限于以下的例示。