[发明专利]用于相变存储器（PCM）阵列的衬垫及相关联的技术和配置有效
| 申请号： | 201480063544.0 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105723510B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | N.罗克莱因;Q.陶;Z.宋;V.巴特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;傅康 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的实施例描述了一种用于相变存储器（PCM）阵列的衬垫及相关联的技术和配置。在实施例中，衬底、设置在衬底上的相变存储器（PCM）元件的阵列，其中PCM元件的阵列的各个PCM元件包括硫族化合物材料，以及设置在各个PCM元件的侧壁表面上的衬垫，其中衬垫包括铝（Al）、硅（Si）和氧（O）。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 pcm 阵列 衬垫 相关 技术 配置 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器设备，包括：衬底；设置在衬底上的相变存储器（PCM）元件的阵列，其中PCM元件的阵列的各个PCM元件包括硫族化合物材料；以及设置在各个PCM元件的侧壁表面上的衬垫，其中衬垫包括铝（Al）、硅（Si）和氧（O），衬垫包括硅铝氧化物（AlxSiyO）；并且x和y分别表示Al、Si和O的相对量。
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