[发明专利]用于相变存储器（PCM）阵列的衬垫及相关联的技术和配置

说明书

本公开的实施例描述了一种用于相变存储器（PCM）阵列的衬垫及相关联的技术和配置。在实施例中，衬底、设置在衬底上的相变存储器（PCM）元件的阵列，其中PCM元件的阵列的各个PCM元件包括硫族化合物材料，以及设置在各个PCM元件的侧壁表面上的衬垫，其中衬垫包括铝（Al）、硅（Si）和氧（O）。可以描述和/或要求保护其它实施例。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年12月20日提交并且题为“LINER FOR PHASE CHANGE MEMORY(PCM) ARRAY AND ASSOCIATED TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS”的美国申请号No.14/137,864的优先权，其全部公开内容在此通过引用被并入。

技术领域

本公开的实施例一般涉及集成电路的领域，并且更特别地涉及用于相变存储器（PCM）阵列的衬垫以及相关联的技术和配置。

背景技术

诸如多叠层（multi-stack）交叉点PCM之类的相变存储器（PCM）技术是对其它非易失性存储器（NVM）技术的有前景的替换。目前，在交叉点阵列架构中，可以在阵列叠层的PCM元件上形成保护衬垫以防止在诸如被沉积以填充PCM元件之间的区域的填充材料之类的其它材料的后续沉积期间对PCM元件的潜在损害。然而，目前形成保护衬垫的技术可以提供易受来自后续过程的损害所影响、阻碍PCM元件之间的材料填充、未能提供用于材料的后续沉积的良好粘附、未能提供充足的阻挡性质以防止来自PCM元件的材料的热扩散的衬垫和/或可以遭受诸如形成衬垫的破坏性沉积过程（例如高温）之类的其它缺陷。

附图说明

将通过结合附图的以下详细描述来容易地理解实施例。为了便于此描述，相似的参考数字指代相似的结构元件。实施例是作为示例并且不是作为限制来在附图的各图中示出。

图1示意性地图示出依照一些实施例的以晶片形式和以单体化形式的示例管芯的顶视图。

图2示意性地图示出依照一些实施例的集成电路（IC）组件的截面侧视图。

图3示意性地图示出依照一些实施例的在制造的各种阶段期间相变存储器（PCM）器件的截面侧视图。

图4是依照一些实施例的制造PCM器件的方法的流程图。

图5示意性地图示出依照本文所描述的各种实施例的包括PCM器件的示例系统。

具体实施方式

本公开的实施例描述一种用于相变存储器（PCM）阵列的衬垫以及相关联的技术和配置。在以下详细描述中，参考形成其一部分的附图，其中相似的数字自始至终指代相似的部分，并且其中通过图示的方式示出其中可以实践本公开的主题的实施例。要理解的是，可以利用其它实施例并且可以作出结构或逻辑上的改变而不脱离本公开的范围。因此，以下详细描述不以限制性意义来被理解，并且实施例的范围由随附权利要求及其等同物来限定。

以最有助于理解所要求保护的主题的方式来将各种操作描述为依次的多个分立操作。然而，描述的次序不应当被解释为暗示这些操作必然是依赖于次序的。特别地，这些操作可以不以呈现的次序执行。所描述的操作可以以与所描述的实施例不同的次序执行。在另外的实施例中可以执行各种另外的操作和/或可以省略所描述的操作。

出于本公开的目的，短语“A和/或B”意指（A），（B）或（A和B）。出于本公开的目的，短语“A，B和/或C”意指（A），（B），（C），（A和B），（A和C），（B和C）或（A，B和C）。

描述可以使用短语“在一个实施例中”或“在实施例中”，其每个可以指的是相同或不同实施例中的一个或多个。另外，如关于本公开的实施例所使用的，术语“包括”、“包含”、“具有”等，是同义的。术语“耦合”可以指的是直接连接、间接连接或间接通信。