[发明专利]用于相变存储器（PCM）阵列的衬垫及相关联的技术和配置

权利要求书

1.一种相变存储器设备，包括：

衬底；

设置在衬底上的相变存储器（PCM）元件的阵列，其中PCM元件的阵列的各个PCM元件包括硫族化合物材料；以及

设置在各个PCM元件的侧壁表面上的衬垫，其中衬垫包括铝（Al）、硅（Si）和氧（O），

衬垫包括硅铝氧化物（Al_xSi_yO）；并且

x和y分别表示Al、Si和O的相对量。

2.权利要求1所述的相变存储器设备，其中y/(x+y)等于从0.05到0.6的值。

3.权利要求1-2中任一项所述的相变存储器设备，其中衬垫：

直接设置在硫族化合物材料上；

完整地覆盖侧壁表面；并且

具有大体均匀的厚度。

4.权利要求3所述的相变存储器设备，其中衬垫覆盖各个PCM元件的顶表面。

5.权利要求1-2中任一项所述的相变存储器设备，还包括：

设置在衬底上的字线层，其中各个PCM元件设置在字线层上。

6.权利要求5所述的相变存储器设备，其中衬垫设置在各个PCM元件之间的字线层上。

7.权利要求5所述的相变存储器设备，其中每个单独的PCM元件包括：

设置在字线层上的包含碳的第一层；

设置在第一层上的包含第一硫族化合物材料的第二层；

设置在第二层上的包含碳的第三层；

设置在第三层上的包含第二硫族化合物材料的第四层；以及

设置在第四层上的包含碳的第五层。

8.权利要求1-2中任一项所述的相变存储器设备，还包括：

设置在衬垫上的包括的种子层。

9.权利要求8所述的相变存储器设备，还包括：

设置在种子层上并且配置成填充各个PCM元件之间的区域的填充材料。

10.一种用于制造相变存储器设备的方法，包括：

提供衬底；

在衬底上形成相变存储器（PCM）元件的阵列，其中PCM元件的阵列的各个PCM元件包括硫族化合物材料；以及

在各个PCM元件的侧壁表面上形成衬垫，其中衬垫包括铝（Al）、硅（Si）和氧（O），

形成衬垫包括通过原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD）来沉积硅铝氧化物，衬垫包括硅铝氧化物（Al_xSi_yO）；并且

x和y分别表示Al，Si和O的相对量。

11.权利要求10所述的方法，其中：

形成衬垫包括通过ALD沉积Al_xSi_yO。

12.权利要求11所述的方法，其中ALD过程是在低于250℃的温度下执行的基于水的过程。

13.权利要求10-12中任一项所述的方法，其中：

形成衬垫包括直接在硫族化合物材料上沉积包括Al、Si和O的材料；以及

沉积材料以材料的大体均匀的厚度完整地覆盖侧壁表面。

14.权利要求13所述的方法，其中沉积材料覆盖各个PCM元件的顶表面。

15.权利要求10-12中任一项所述的方法，其中形成PCM元件的阵列包括：

在设置在衬底上的字线层上沉积包含碳的第一层；

在第一层上沉积包含第一硫族化合物材料的第二层；

在第二层上沉积包含碳的第三层；

在第三层上沉积包含第二硫族化合物材料的第四层；以及

在第四层上沉积包含碳的第五层。