[发明专利]单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201480062812.7 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105992840B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 添田聪;中野真二;池田光市 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04;C30B30/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为一种单晶硅的制造方法，其是基于CZ法来制造N型单晶硅，所述CZ法具有使籽晶体取向坩埚中的硅熔液进行着液的引晶工序、以及之后提拉所述籽晶并使直径变细的缩颈工序，在该N型单晶硅的制造中，根据所述引晶时的温度与所述缩颈时的温度的差来预测所述硅熔液中的掺杂剂浓度，并基于该预测出的硅熔液中的掺杂剂浓度来控制提拉单晶的电阻率。由此，提供一种单晶硅的制造方法，其能够高效地制造所希望电阻率的单晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，基于CZ法来制造N型单晶硅，所述CZ法具有使籽晶体取向坩埚中的硅熔液进行着液的引晶工序、以及之后提拉所述籽晶并使直径变细的缩颈工序，在该N型单晶硅的制造中，根据所述引晶时的温度与所述缩颈时的温度的差来预测所述硅熔液中的掺杂剂浓度，并基于该预测出的硅熔液中的掺杂剂浓度来控制提拉单晶的电阻率，所述硅熔液中的掺杂剂浓度的预测，是根据预先求出的所述引晶时的温度和所述缩颈时的温度的差与制造出的单晶的电阻率之间的相互关系来预测，利用单晶制造中掺杂剂的蒸发量来调节作为目标的硅熔液中掺杂剂浓度与所述预测的硅熔液中掺杂剂浓度的差，通过在直胴部生长开始时改变炉内压力来调节所述掺杂剂的蒸发量。
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