[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201480061962.6 | 申请日： | 2014-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN105723513B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 合田健太 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王成坤;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 绝缘栅双极型晶体管具备由N导电型的半导体基板(1S)构成的漂移层(1)、在半导体基板的背面侧的表层部形成的P导电型的集电极层(4)及在漂移层与集电极层之间形成的N导电型且杂质浓度比漂移层高的场中止层(6)。在半导体基板的厚度方向上，寿命控制层(5)通过氦的离子注入以规定的半值宽度形成，并且场中止层通过氢的离子注入以规定的半值宽度形成。寿命控制层的半值宽度区域和场中止层的半值宽度区域构成为重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，具备：漂移层(1)，由N导电型的半导体基板(1S)构成；P导电型的集电极层(4)，形成在所述半导体基板的背面侧的表层部；场中止层即FS层(6)，是N导电型，形成在所述漂移层与所述集电极层之间，杂质浓度比所述漂移层高，在所述半导体基板的厚度方向上，寿命控制层即LT控制层(5)，是通过氦(He)的离子注入而以规定的半值宽度形成的，所述LT控制层的半值宽度是所注入的氦(He)的高斯分布的浓度在所述半导体基板的表面侧成为峰值值的1/2的位置与在所述半导体基板的背面侧成为峰值值的1/2的位置之间的宽度，所述FS层，是通过氢(H)的离子注入而以规定的半值宽度形成的，所述FS层的半值宽度是所注入的氢(H)的高斯分布的浓度在所述半导体基板的所述表面侧成为峰值值的1/2的位置与所述半导体基板的背面侧的表层部之间的宽度，所述LT控制层的半值宽度区域和所述FS层的半值宽度区域构成为重叠，所述LT控制层的半值宽度区域构成为，包含于所述FS层的半值宽度区域，规定所述FS层的半值宽度区域的FS层表面侧边界构成为，相对于规定所述LT控制层的半值宽度区域的LT控制层表面侧边界，位于LT控制层的半值宽度的1/2以上表面侧。
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