[发明专利]具有低摩擦垫的物理气相沉积(PVD)靶材在审
| 申请号： | 201480061815.9 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105874565A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 马丁·李·莱克;乌代·帕伊;威廉·弗鲁赫特曼;基思·A·米勒;穆罕默德·M·拉希德;清·X·源;希兰库玛·萨万戴亚 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供用于基板处理腔室的靶材组件的实施方式。在一些实施方式中，靶材组件包括：板，所述板包含包括中央部分及支撑部分的第一侧面；靶材，所述靶材设置于所述中央部分上；多个凹槽，所述多个凹槽形成于所述支撑部分中；及多个垫，所述多个垫部分地设置于所述多个凹槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 摩擦 物理 沉积 pvd 靶材 | ||
【主权项】：
一种用于基板处理腔室的靶材组件，所述靶材组件包含：板，包含包括中央部分及支撑部分的第一侧面，其中所述中央部分被配置以支撑靶材源材料；多个凹槽，形成于所述支撑部分中；及多个垫，部分设置于所述多个凹槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
