[发明专利]包含银纳米材料的透明导电基体的结构化方法在审
申请号: | 201480060909.4 | 申请日: | 2014-10-16 |
公开(公告)号: | CN105745357A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | W·斯托库姆;C·马图舍克 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | C23F1/42 | 分类号: | C23F1/42;H01B1/22;H01L51/00;H01L51/52;H01L33/42;H01L31/18;H01L21/3213;C23F1/00;C23F1/30;H01L31/0224;H05K3/06;C09K13/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李颖;林柏楠 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及选择性结构化包含AgNW(银纳米丝)或银纳米颗粒(Ag纳米油墨)或者包含AgNW和银纳米颗粒的混合物的聚合物基体的方法,所述聚合物基体位于挠性塑料底结构或实心玻璃板上。该方法还包括合适的蚀刻组合物,其容许该方法在工业规模上进行。 | ||
搜索关键词: | 包含 纳米 材料 透明 导电 基体 结构 方法 | ||
【主权项】:
在未除去聚合物基体的情况下选择性分解和释放包含在聚合物基体内的银纳米丝(AgNW)和/或银纳米颗粒的方法,所述聚合物基体位于挠性塑料或玻璃底结构上,所述方法包括步骤:a)将蚀刻糊印刷到复合材料的表面上,所述复合材料包含在塑料基底或玻璃板上的含有银纳米丝(AgNW)的聚合物基体,b)在有或没有加热的情况下蚀刻预定的时间(固定的停留时间),和c)清洗基底表面,条件是聚合物基体保留并显示多孔结构。
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