[发明专利]包括发光二极管的光电器件及其制造方法有效
申请号: | 201480059521.2 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN105684169B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 克里斯多夫·布维尔;埃尔文·多内尔 | 申请(专利权)人: | 艾利迪公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00;H01L27/15 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;任庆威 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及光电器件(5),包括:支撑件(10),其具有第一表面(12);第一发光二极管(DEL)的第一组件(A),其包括每个位于第一接触柱(14)的第二表面(15)上的第一线形、圆锥形或截头圆锥形的半导体元件(20),每个第一接触柱此外还包括与所述第二表面相对的第三表面(17);以及第一导电层(18;56),其连接第一接触柱并且至少在每个第一接触柱的所述第二表面或所述第三表面的一部分上延伸,所述第一导电层和/或所述第一接触柱位于所述支撑物上。 | ||
搜索关键词: | 包括 发光二极管 光电 器件 | ||
【主权项】:
1.一种光电器件(5;40;45;50;55;60),包括:支撑物(10),其具有第一表面(12);第一发光二极管(DEL)的第一组件(A),每个第一发光二极管包括由第一材料制成的并且位于由与所述第一材料不同的第二材料制成的第一垫(14)的第二表面(15)上并且促进第一半导体元件的生长的第一线形、圆锥形或截头圆锥形的半导体元件(20),所述半导体元件由包括适于发射由所述第一发光二极管递送的大多数辐射的有源层的外壳(28)覆盖,每个第一垫还包括与所述第二表面相对的第三表面(17);第一导电层(18;56),其连接第一垫并且至少在每个第一垫的所述第二表面或所述第三表面的一部分上延伸,所述第一导电层和/或所述第一垫位于所述支撑物上;绝缘层(26),其覆盖所述第一导电层(18);第一电极(30、301),其覆盖每个外壳并且在所述绝缘层上进一步延伸,其中:所述第一垫(14)位于所述支撑物(10)上,并且所述第一导电层(18)在所述支撑物(10)上延伸在所述第一垫之间并且覆盖每个第一垫的所述第二表面(15)的一部分,所述第一导电层在每个第一半导体元件(20)的位置处是开放的,或者所述第一导电层(56)位于所述第一表面(12)上,并且每个第一垫(14)位于所述第三表面(17)的一侧的所述第一导电层上。
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