[发明专利]包括发光二极管的光电器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电器件(5；40；45；50；55；60)，包括：

支撑物(10)，其具有第一表面(12)；

第一发光二极管(DEL)的第一组件(A)，每个第一发光二极管包括由第一材料制成的并且位于由与所述第一材料不同的第二材料制成的第一垫(14)的第二表面(15)上并且促进第一半导体元件的生长的第一线形、圆锥形或截头圆锥形的半导体元件(20)，所述半导体元件由包括适于发射由所述第一发光二极管递送的大多数辐射的有源层的外壳(28)覆盖，每个第一垫还包括与所述第二表面相对的第三表面(17)；

第一导电层(18；56)，其连接第一垫并且至少在每个第一垫的所述第二表面或所述第三表面的一部分上延伸，所述第一导电层和/或所述第一垫位于所述支撑物上；

绝缘层(26)，其覆盖所述第一导电层(18)；

第一电极(30、30₁)，其覆盖每个外壳并且在所述绝缘层上进一步延伸，其中：

所述第一垫(14)位于所述支撑物(10)上，并且所述第一导电层(18)在所述支撑物(10)上延伸在所述第一垫之间并且覆盖每个第一垫的所述第二表面(15)的一部分，所述第一导电层在每个第一半导体元件(20)的位置处是开放的，或者

所述第一导电层(56)位于所述第一表面(12)上，并且每个第一垫(14)位于所述第三表面(17)的一侧的所述第一导电层上。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述第一导电层(18；56)由从包括合金的组中选择的材料制成，所述合金包括来自W、Ta、Re、Os、Mo、Nb、Pt、Pd、Cr、Zr、Hf、Cu、Co、Ni和Ti之中的过渡金属或多于一个过渡金属以及其硅化形式、氮化形式以及碳化形式。

3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其中，所述第一导电层(18；56)由从包括硅化物和能够形成硅化物的金属的组中选择的材料制成。

4.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述第一导电层(18；56)由从包括硅化物和能够在1000℃的温度下形成与硅有关的稳定硅化物的金属的组中选择的材料制成。

5.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述第一导电层(18；56)由从具有在10％内等于硅或多晶硅的热膨胀系数的热膨胀系数的材料之中选择的材料制成。

6.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述第一垫(14)位于所述支撑物(10)上，并且其中，所述第一导电层(18)在所述支撑物(10)上延伸在所述第一垫之间并且覆盖每个第一垫的所述第二表面(15)的一部分，所述第一导电层在每个第一半导体元件(20)的位置处是开放的。

7.根据权利要求6所述的光电器件，其中，所述绝缘层(26)延伸在所述第一半导体元件(20)与所述第一导电层(18)之间。

8.根据权利要求6所述的光电器件，其中，所述第一导电层(18)与所述第一半导体元件(20)接触。

9.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述支撑物包括半导体衬底(10)和在所述衬底与所述第一导电层(18)之间的绝缘区域(46)。

10.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述第一导电层(56)位于所述第一表面(12)上，并且其中，每个第一垫(14)位于所述第三表面(17)的一侧的所述第一导电层上。

11.根据权利要求10所述的光电器件，其中，所述绝缘层(26)进一步覆盖每个第一垫(14)的一部分。

12.根据权利要求10所述的光电器件，其中，所述第一导电层(56)的没有覆盖有所述第一垫(14)的部分在其表面处被氮化。