[发明专利]半导体发光元件有效
申请号: | 201480056016.2 | 申请日: | 2014-10-13 |
公开(公告)号: | CN105637658B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 全水根;晋根模 | 申请(专利权)人: | 世迈克琉明有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及半导体发光元件,其特征在于,其包括:多个半导体层,它们利用生长衬底而依次生长;第一电极部,其与第一半导体层电气连通,并提供电子和空穴中的一个;第二电极部,其与第二半导体层电气连通,并提供电子和空穴中的另一个;及非导电性反射膜,其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上,并形成有开口,第一电极部和第二电极部中的至少一个包括:下部电极,其通过开口而露出至少一部分;上部电极,其形成在非导电性反射膜上;及电连接器,其贯穿开口而与下部电极接触,并与上部电极电气连通。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光元件,其特征在于,其包括:多个半导体层,它们利用生长衬底而依次生长,该多个半导体层包括:第一半导体层,其具备第一导电性;第二半导体层,其具备与第一导电性不同的第二导电性;及有源层,其介于第一半导体层与第二半导体层之间,并通过电子和空穴的复合而生成光;非导电性反射膜,其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上,并形成有多个开口,该非导电性反射膜包括分布布拉格反射器,该分布布拉格反射器反射来自有源层的光;第一电极部,其与第一半导体层电气连通,并提供电子和空穴中的一个,且该第一电极部包括多个欧姆接触焊盘、第一连接电极和第一接合焊盘,该多个欧姆接触焊盘形成在通过该多个开口而露出的该第一半导体层上,该第一连接电极延续到多个开口而与多个欧姆接触焊盘电连接,且具有手指形状,该第一接合焊盘与第一连接电极电连接;第二电极部,其与第二半导体层电气连通,并提供电子和空穴中的另一个;及绝缘层,其设于第一接合焊盘与非导电性反射膜之间,其中,通过形成于绝缘层的开口,第一接合焊盘与第一连接电极电连接,具有所述手指形状的所述第一连接电极设置在包括所述分布布拉格反射器的所述非导电性反射膜上,并被所述绝缘层覆盖。
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