[发明专利]用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法

摘要

本发明涉及一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底的方法，至少包括以下步骤(i)提供多晶硅衬底，所述多晶硅衬底的平均颗粒尺寸小于或等于10μm；(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体均匀的塑性变形；(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形，在两个连续的区(3)之间的间距为至少20μm，衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形，步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行；以及(iv)在严格高于步骤(ii)中使用的温度的温度下，使在步骤(iii)中获得的衬底经受固相再结晶热处理，以便获得期望的所述衬底。

主权项

一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底(10)的方法，所述方法至少包括以下步骤：(i)提供多晶硅衬底(1)，所述多晶硅衬底(1)的平均颗粒尺寸小于或等于10μm；(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体且均匀的塑性变形；(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形，在两个连续的区(3)之间的间距(e)为至少20μm，所述衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形，步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行；以及(iv)在严格高于在步骤(ii)中实施的温度的温度下，使在步骤(iii)结束时获得的所述衬底经受固相再结晶热处理，以便获得期望的所述衬底(10)。