[发明专利]离子植入机中的碳化硅镀膜有效
| 申请号： | 201480053311.2 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105593401B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·梅森;沙杜·佩特尔;罗伯特·H·贝当古;提摩西·J·米勒 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张洋,臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 中的 碳化硅 镀膜 | ||
【主权项】：
一种离子植入机，包括：离子源，包括离子源室，所述离子源室具有由介电材料构建的第一壁、相对的导电的第二壁以及多个导电侧壁，其中提取孔口安置在所述导电的第二壁中；离子发生器，经安置而接近所述第一壁并且在所述离子源室外，所述离子发生器在所述离子源室内产生等离子；多个导电的衬垫，每一个与所述导电侧壁的相应的内表面相对安置并且与其处于电联通；以及提取电极组件，经安置而接近所述提取孔口并且在所述离子源室外，所述提取电极组件包括一或多个导电电极；其中所述导电的第二壁以及所述多个导电侧壁与第一偏压处于联通，且所述一或多个导电电极与一或多个第二偏压处于联通，以穿过所述提取孔口从所述离子源室吸引离子，且其中，所述导电的衬垫、所述导电的第二壁的内表面以及所述提取电极组件中的至少一个镀有低电阻率的碳化硅。
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