[发明专利]离子植入机中的碳化硅镀膜

权利要求书

1.一种离子植入机，包括：

离子源，包括离子源室，所述离子源室具有由介电材料构建的第一壁、相对的导电的第二壁以及多个导电侧壁，其中提取孔口安置在所述导电的第二壁中；

离子发生器，经安置而接近所述第一壁并且在所述离子源室外，所述离子发生器在所述离子源室内产生等离子；

多个导电的衬垫，每一个与所述导电侧壁的相应的内表面相对安置并且与其处于电联通；以及

提取电极组件，经安置而接近所述提取孔口并且在所述离子源室外，所述提取电极组件包括一或多个导电电极；

其中所述导电的第二壁以及所述多个导电侧壁与第一偏压处于联通，且所述一或多个导电电极与一或多个第二偏压处于联通，以穿过所述提取孔口从所述离子源室吸引离子，且

其中，所述导电的衬垫、所述导电的第二壁的内表面以及所述提取电极组件中的至少一个镀有低电阻率的碳化硅。

2.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述碳化硅具有小于1欧姆-厘米的电阻率。

3.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述导电的衬垫的每一个包括面向所述离子源室的内部的第一表面以及面向相应的所述导电侧壁的相对的第二表面，并且所述第一表面镀有所述低电阻率的碳化硅。

4.根据权利要求3所述的离子植入机，其中所述衬垫的所述第二表面镀有所述低电阻率的碳化硅。

5.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述导电电极的表面镀有所述低电阻率的碳化硅。

6.根据权利要求5所述的离子植入机，其中所述导电电极中的每一个包括相应的孔口，并且围绕所述相应的孔口的所述导电电极中的每一个的一部分镀有所述低电阻率的碳化硅。

7.一种离子植入机，包括：

离子源，包括离子源室，所述离子源室具有第一壁、相对的导电的第二壁以及多个导电侧壁，其中提取孔口安置在所述导电的第二壁中；

离子发生器，经安置而接近所述第一壁并且在所述离子源室外，所述离子发生器在所述离子源室内产生等离子；

多个导电石墨衬垫，每一个与所述导电侧壁的相应的内表面相对安置并且与其处于电联通，所述导电石墨衬垫中的每一个包括面向所述离子源室的内部的第一表面以及面向相应的所述导电侧壁的相对的第二表面，其中所述第一表面镀有低电阻率碳化硅；以及

提取电极组件，经安置而接近所述提取孔口并且在所述离子源室外，所述提取电极组件包括一或多个导电电极，所述导电电极的每一个具有相应的孔口，其中围绕所述相应的孔口的每一个所述导电电极的一部分镀有所述低电阻率碳化硅；

其中所述导电的第二壁以及所述多个导电侧壁与第一偏压处于联通，且所述一或多个导电电极与一或多个第二偏压处于联通，以穿过所述提取孔口从所述离子源室吸引离子，且

其中所述低电阻率碳化硅具有小于1欧姆-厘米的电阻率。

8.根据权利要求7所述的离子植入机，其中所述导电的第二壁的内表面镀有所述低电阻率碳化硅。

9.根据权利要求8所述的离子植入机，其中所述导电的第二壁与所述导电侧壁连接的区域不镀有所述低电阻率碳化硅。

10.一种离子植入机，包括：

离子源，包括离子源室，所述离子源室具有第一壁、相对的导电的第二壁以及多个导电侧壁，其中提取孔口安置在所述导电的第二壁中；以及

提取电极组件，经安置而接近所述提取孔口并且在所述离子源室外，所述提取电极组件包括一或多个导电电极，

其中所述导电的第二壁以及所述多个导电侧壁与第一偏压处于联通，且所述一或多个导电电极与一或多个第二偏压处于联通，以穿过所述提取孔口从所述离子源室吸引离子，且

其中所述导电的第二壁的内表面、所述多个导电侧壁中的一个的内表面以及所述提取电极组件中的至少一个涂覆有低电阻率碳化硅。

11.根据权利要求10所述的离子植入机，其中所述低电阻率碳化硅具有小于1欧姆-厘米的电阻率。

12.根据权利要求10所述的离子植入机，还包括多个导电的衬垫，每一个与所述导电侧壁的相应的内表面相对安置并且与其处于电联通。