[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用其的抗蚀剂图案的形成方法有效
| 申请号： | 201480052938.6 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105579909B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 西田登喜雄;大西龙慈;藤谷德昌;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G59/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 孙丽梅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明的课题是提供新的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物和有机溶剂，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)所表示的结构。 |
||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 下层 形成 组合 使用 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物和有机溶剂，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)所表示的结构，并且，所述聚合物的重均分子量是1000～100000，![]()
式(1)中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烷基、卤代基或羟基，所述R1、R2和R3中至少1个表示所述烷基，Ar表示苯环、萘环或蒽环，2个羰基分别与所述Ar所表示的环的相邻的2个碳原子结合，X表示可以具有碳原子数1～3的烷氧基作为取代基的碳原子数1～6的直链状或支链状的烷基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社，未经日产化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480052938.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
