[发明专利]SiC单晶及其制造方法有效
| 申请号： | 201480052509.9 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105593414B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 大黑宽典;加渡干尚;龟井一人;楠一彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1‑100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。 | ||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.SiC单晶的制造方法，其是在坩埚内使保持于晶种保持轴的SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，该制造方法包括：以所述晶种基板的{0001}面为基点使SiC单晶生长，使得其具有2mm以上的生长方向的长度，和使自<11‑20>方向的热损失低于自<1‑100>方向的热损失，所述晶种基板的直径S相对于所述坩埚内径C的比例即S/C满足0.50≤S/C＜1.0的关系。
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