[发明专利]静电式夹盘及其制造方法在审
申请号: | 201480049261.0 | 申请日: | 2014-09-04 |
公开(公告)号: | CN105531810A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 金沃律;金沃珉 | 申请(专利权)人: | 株式公司品维斯;金沃律;金沃珉 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 胡坚 |
地址: | 韩国446-916京畿道龙仁市器兴区东白中*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种静电式夹盘,其特征在于,包括:基材;利用静电力吸附晶片的吸附部;将所述吸附部黏合在所述基材上的黏合层;及为了覆盖所述黏合层的露出面而形成的黏合层防侵蚀涂层。所述黏合层防侵蚀涂层是将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量,在0~50度的真空状态下的喷涂方式,无气泡无裂缝而形成的。本发明还公开了一种静电式夹盘的制造方法,包括:(a)利用静电力吸附晶片的吸附部黏合在基材上,形成黏合层的步骤;及(b)将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量,在0~50度的真空状态下的喷涂方式,覆盖所述黏合层的露出面而形成无气泡无裂缝之黏合层防侵蚀涂层的步骤。 | ||
搜索关键词: | 静电 式夹盘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种静电式夹盘,其特征在于,包括:基材;利用静电力吸附晶片的吸附部;将所述吸附部黏合在所述基材上的黏合层;及为了覆盖所述黏合层的露出面而形成的黏合层防侵蚀涂层;所述黏合层防侵蚀涂层是将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量,在0~50度的真空状态下的喷涂方式,无气泡无裂缝而形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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