[发明专利]静电式夹盘及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201480049261.0 申请日: 2014-09-04
公开(公告)号: CN105531810A 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 金沃律;金沃珉 申请(专利权)人: 株式公司品维斯;金沃律;金沃珉
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 代理人: 胡坚
地址: 韩国446-916京畿道龙仁市器兴区东白中*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 静电 式夹盘 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种静电式夹盘,其特征在于,包括:基材;利用静电力吸附晶片的吸附部;将所 述吸附部黏合在所述基材上的黏合层;及为了覆盖所述黏合层的露出面而形成的黏合层防侵 蚀涂层;所述黏合层防侵蚀涂层是将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量, 在0~50度的真空状态下的喷涂方式,无气泡无裂缝而形成的。

2.根据权利要求1所述的静电式夹盘,其特征在于,还包括黏合层防侵蚀涂层,所述吸 附部防侵蚀涂层是直接涂抹在所述黏合层的露出面而形成的。

3.根据权利要求1所述的静电式夹盘,其特征在于,所述黏合层防侵蚀涂层涂抹于覆盖 部材的外面,其结合覆盖所述黏合层的露出面而形成的。

4.根据权利要求1的静电式夹盘,其特征在于,所述基材是由金属、聚合物或陶瓷形成 的。

5.根据权利要求1的静电式夹盘,其特征在于,所述吸附部是由陶瓷片(ceramicshee t)或绝缘树脂片(insulatingresinsheet)形成的。

6.根据权利要求1的静电式夹盘,其特征在于,所述黏合层由含有热塑性树脂或热固性 树脂的黏合剂形成的。

7.根据权利要求1的静电式夹盘,其特征在于,所述黏合层防侵蚀涂层是由选自Y2O3, YF3,Al2O3,AlN,SiC,TiO2,YAG,AYG中任意一种以上而形成的陶瓷涂层。

8.根据权利要求1的静电式夹盘,其特征在于,所述吸附部防侵蚀涂层是将陶瓷粉采 用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量,在0~50度的真空状态下,喷向吸附部的露出 面上的喷涂方式,而形成无气泡无裂缝。

9.根据权利要求8所述的静电式夹盘,其特征在于,所述吸附部防侵蚀涂层是由选自Y2O3,YF3,Al2O3,AlN,SiC,TiO2,YAG,AYG中任意一种以上而形成的陶瓷涂层。

10.一种静电式夹盘的制造方法,其特征在于,包括:(a)利用静电力吸附晶片的吸 附部黏合在基材上,形成黏合层的步骤;及(b)将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控 制于一定的流量,在0~50度的真空状态下的喷涂方式,覆盖所述黏合层的露出面而形成无气 泡无裂缝之黏合层防侵蚀涂层的步骤。

11.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法,其特征在于,所述(b)步骤中, 还包括:所述黏合层防侵蚀涂层是直接涂抹在所述黏合层的露出面而形成的。

12.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法,其特征在于,所述(b)步骤中, 还包括:所述黏合层防侵蚀涂层涂抹于覆盖部材的外面,其结合覆盖所述黏合层的露出面而 形成的。

13.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法,其特征在于,所述陶瓷粉的供给量 为0.1~100g/min,偏差质未满±1wt%。

14.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法,其特征在于,维持于大气压状态下 可供给所述陶瓷粉。

15.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法,其特征在于,所述移送空气的流量 为5~500m3/min,偏差质未满±1vol%。

16.根据权利要求10所述的静电式夹盘的制造方法,其特征在于,所述(b)步骤中, 还包括:将陶瓷粉采用持续定量供入移送空气并控制于一定的流量,在0~50度的真空状态下, 喷向吸附部的露出面上,形成无气泡无裂缝的吸附部防侵蚀涂层。

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