[发明专利]在三维结构中产生经掺杂的垂直通道的制程

摘要

本发明提供一种在三维结构中产生经掺杂的垂直通道的制程，其中垂直通道由氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠所包围，所述制程包括：穿过氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠蚀刻出孔洞；沿着孔洞中的侧壁沉积多晶硅材料；以及使用多个高能离子布植来将掺质离子植入多晶硅材料中，多个高能离子布植各具有至少200keV的植入能量，且其中多个高能离子布植的至少一个是使用至少1MeV的植入能量来进行。藉由通过ONO堆叠，各离子到达的分布范围可不同于由垂直布植产生的分布范围。

主权项

1.一种在三维结构中产生经掺杂的垂直通道的制程，其中所述垂直通道由氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠所包围，所述在三维结构中产生经掺杂的垂直通道的制程包括：穿过所述氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠蚀刻出孔洞；沿着所述孔洞中的侧壁沉积多晶硅材料，以形成所述垂直通道；以及遍布所述垂直通道且使用多个高能离子布植来将掺质离子植入所述多晶硅材料中，所述多个高能离子布植各具有至少200keV的植入能量，且其中所述多个高能离子布植的至少一个是使用至少1MeV的植入能量来进行。