[发明专利]具有硅金属浮动栅极的分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包括第一导电类型的衬底，所述衬底具有间隔开的第二导电类型的第一区域和第二区域，在所述第一区域和所述第二区域之间形成沟道区。选择栅极与所述沟道区的第一部分绝缘并且设置在所述第一部分上面，所述第一部分与所述第一区域相邻。浮动栅极与所述沟道区的第二部分绝缘并且设置在所述第二部分上面，所述第二部分与所述第二区域相邻。金属材料与所浮动栅极接触地形成。控制栅极与所述浮动栅极绝缘并且设置在其上面。擦除栅极包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二区域绝缘并且设置在其上面，而且与所述浮动栅极绝缘并且与其横向相邻设置；所述第二部分与所述控制栅极绝缘并且与其横向相邻，而且部分地在所述浮动栅极上面延伸并且与其纵向重叠。

主权项

一种非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包括：第一导电类型的衬底，所述衬底具有第二导电类型的第一区域、与所述第一区域间隔开的所述第二导电类型的第二区域，在所述第一区域和所述第二区域之间形成沟道区；选择栅极，所述选择栅极与所述沟道区的第一部分绝缘并且设置在所述第一部分上面，所述第一部分与所述第一区域相邻；浮动栅极，所述浮动栅极与所述沟道区的第二部分绝缘并且设置在所述第二部分上面，所述第二部分与所述第二区域相邻，其中所述浮动栅极由多晶硅形成并且具有平坦的顶部表面；与所述浮动栅极接触地形成的金属材料；控制栅极，所述控制栅极与所述浮动栅极绝缘并且设置在其上面；擦除栅极，所述擦除栅极包括第一部分和第二部分，其中：所述第一部分与所述第二区域绝缘并且设置在所述第二区域上面，而且与所述浮动栅极绝缘并且与所述浮动栅极横向相邻设置；并且所述第二部分与所述控制栅极绝缘并且与所述控制栅极横向相邻，而且部分地在所述浮动栅极平坦的顶部表面上面延伸并且与所述平坦的顶部表面纵向重叠；其中所述金属材料作为层布置在所述浮动栅极的所述平坦的顶部表面上，以及其中该金属材料层在所述浮动栅极的所述平坦的顶部表面的仅一部分上面延伸，其中所述金属材料层不在所述平坦的顶部表面的其上面延伸有所述擦除栅极的第二部分的任何部分上面延伸。