[发明专利]具有垂直结构的氮化镓功率半导体器件有效
| 申请号： | 201480045765.5 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105474405B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈世冠;林意茵 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底和第一有源层，所述衬底具有第一面和第二面，并且所述第一有源层设置在所述衬底的所述第一面上方。第二有源层设置在所述第一有源层上。所述第二有源层具有比所述第一有源层更高的带隙，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间出现二维电子气层。至少一个沟槽延伸穿过所述第一有源层和所述第二有源层及所述二维电子气层并进入所述衬底中。导电材料内衬于所述沟槽上。第一电极设置在所述第二有源层上并且第二电极设置在所述衬底的所述第二面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 结构 氮化 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一面和第二面；第一有源层，所述第一有源层设置在所述衬底的所述第一面上方；第二有源层，所述第二有源层设置在所述第一有源层上，所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间出现二维电子气层；至少一个沟槽，所述至少一个沟槽延伸穿过所述第一有源层和所述第二有源层以及所述二维电子气层并且进入所述衬底中；导电材料，所述导电材料内衬于所述沟槽；第一电极，所述第一电极设置在所述第二有源层上；第二电极，所述第二电极设置在所述衬底的所述第二面上，以及设置在所述第二有源层上的第三电极，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极分别为源极电极、漏极电极和栅极电极，其中，在横向方向上穿过所述二维电子气层并且在垂直方向上穿过所述导电材料来提供连续导电通路。
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