[发明专利]用于杂质分层外延法的设备有效
申请号: | 201480045552.2 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN105493229B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开内容的实施方式涉及用于处理半导体基板的设备。所述设备包括处理腔室,所述处理腔室具有用于支撑基板的基板支撑件、下拱形结构和与所述下拱形结构相对的上拱形结构、设置于所述处理腔室的侧壁内的多个气体注射器。所述设备包括气体输送系统,所述气体输送系统经由所述多个气体注射器耦接至处理腔室,所述气体输送系统包括:气体导管,所述气体导管将一种或更多种化学物质经由第一流体线路提供至所述多个气体注射器;掺杂剂源,所述掺杂剂源将一种或更多种掺杂剂经由第二流体线路提供至所述多个气体注射器;和快速切换阀,所述快速切换阀设置于第二流体线路与处理腔室之间,其中所述快速切换阀在处理腔室与排放装置之间切换所述一种或更多种掺杂剂的流动。 | ||
搜索关键词: | 处理腔室 气体注射器 气体输送系统 快速切换阀 拱形结构 掺杂剂源 第二流体 气体导管 线路提供 掺杂剂 半导体基板 基板支撑件 第一流体 化学物质 排放装置 支撑基板 外延法 侧壁 分层 耦接 流动 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理半导体基板的设备,所述设备包括:外延处理腔室,所述外延处理腔室包括:基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述处理腔室内;下拱形结构,所述下拱形结构设置于所述基板支撑件下方;上拱形结构,所述上拱形结构设置于所述基板支撑件上方,所述上拱形结构与所述下拱形结构相对;和多个气体注射器,所述多个气体注射器设置于所述处理腔室的侧壁内;和气体输送系统,所述气体输送系统经由所述多个气体注射器耦接至所述外延处理腔室,所述气体输送系统包括:气体导管,所述气体导管可操作以将一种或更多种化学物质经由第一流体线路提供至所述多个气体注射器;掺杂剂源,所述掺杂剂源可操作以将一种或更多种掺杂剂经由第二流体线路提供至所述多个气体注射器;和快速切换阀,所述快速切换阀设置于所述第二流体线路与所述外延处理腔室之间,其中所述快速切换阀可操作以在所述外延处理腔室与排放装置之间切换所述一种或更多种掺杂剂的流动,并且其中所述快速切换阀可操作成以小于50ms的时间在所述外延处理腔室与所述排放装置之间切换所述一种或更多种掺杂剂的流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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