[发明专利]用于杂质分层外延法的设备有效

专利信息
申请号: 201480045552.2 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN105493229B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/683
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开内容的实施方式涉及用于处理半导体基板的设备。所述设备包括处理腔室,所述处理腔室具有用于支撑基板的基板支撑件、下拱形结构和与所述下拱形结构相对的上拱形结构、设置于所述处理腔室的侧壁内的多个气体注射器。所述设备包括气体输送系统,所述气体输送系统经由所述多个气体注射器耦接至处理腔室,所述气体输送系统包括:气体导管,所述气体导管将一种或更多种化学物质经由第一流体线路提供至所述多个气体注射器;掺杂剂源,所述掺杂剂源将一种或更多种掺杂剂经由第二流体线路提供至所述多个气体注射器;和快速切换阀,所述快速切换阀设置于第二流体线路与处理腔室之间,其中所述快速切换阀在处理腔室与排放装置之间切换所述一种或更多种掺杂剂的流动。
搜索关键词: 处理腔室 气体注射器 气体输送系统 快速切换阀 拱形结构 掺杂剂源 第二流体 气体导管 线路提供 掺杂剂 半导体基板 基板支撑件 第一流体 化学物质 排放装置 支撑基板 外延法 侧壁 分层 耦接 流动
【主权项】:
1.一种用于处理半导体基板的设备,所述设备包括:外延处理腔室,所述外延处理腔室包括:基板支撑件,所述基板支撑件设置于所述处理腔室内;下拱形结构,所述下拱形结构设置于所述基板支撑件下方;上拱形结构,所述上拱形结构设置于所述基板支撑件上方,所述上拱形结构与所述下拱形结构相对;和多个气体注射器,所述多个气体注射器设置于所述处理腔室的侧壁内;和气体输送系统,所述气体输送系统经由所述多个气体注射器耦接至所述外延处理腔室,所述气体输送系统包括:气体导管,所述气体导管可操作以将一种或更多种化学物质经由第一流体线路提供至所述多个气体注射器;掺杂剂源,所述掺杂剂源可操作以将一种或更多种掺杂剂经由第二流体线路提供至所述多个气体注射器;和快速切换阀,所述快速切换阀设置于所述第二流体线路与所述外延处理腔室之间,其中所述快速切换阀可操作以在所述外延处理腔室与排放装置之间切换所述一种或更多种掺杂剂的流动,并且其中所述快速切换阀可操作成以小于50ms的时间在所述外延处理腔室与所述排放装置之间切换所述一种或更多种掺杂剂的流动。
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