[发明专利]用于杂质分层外延法的设备

权利要求书

1.一种用于处理半导体基板的设备，所述设备包括：

外延处理腔室，所述外延处理腔室包括：

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理腔室内；

下拱形结构，所述下拱形结构设置于所述基板支撑件下方；

上拱形结构，所述上拱形结构设置于所述基板支撑件上方，所述上拱形结构与所述下拱形结构相对；和

多个气体注射器，所述多个气体注射器设置于所述处理腔室的侧壁内；和

气体输送系统，所述气体输送系统经由所述多个气体注射器耦接至所述外延处理腔室，所述气体输送系统包括：

气体导管，所述气体导管可操作以将一种或更多种化学物质经由第一流体线路提供至所述多个气体注射器；

掺杂剂源，所述掺杂剂源可操作以将一种或更多种掺杂剂经由第二流体线路提供至所述多个气体注射器；和

快速切换阀，所述快速切换阀设置于所述第二流体线路与所述外延处理腔室之间，其中所述快速切换阀可操作以在所述外延处理腔室与排放装置之间切换所述一种或更多种掺杂剂的流动，并且其中所述快速切换阀可操作成以小于50ms的时间在所述外延处理腔室与所述排放装置之间切换所述一种或更多种掺杂剂的流动。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述快速切换阀可操作以在0.05秒至20秒的脉冲重复率下提供短脉冲剂量的所述一种或更多种掺杂剂。

3.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

第二阀，所述第二阀设置于所述第一流体线路与所述外延处理腔室之间，其中所述第二阀可操作以在所述外延处理腔室与所述排放装置之间切换所述一种或更多种化学物质的流动。

4.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

净化气体源，所述净化气体源耦接至所述第一流体线路和所述第二流体线路。

5.如权利要求1所述的设备，进一步包括：

第一净化气体源，所述第一净化气体源耦接至所述第一流体线路；和

第二净化气体源，所述第二净化气体源耦接至所述第二流体线路。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述掺杂剂源可操作以将稀释气体经由所述第二流体线路提供至所述多个气体注射器。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述稀释气体的容积流量与所述掺杂剂的容积流量的比率为1:1至20:1。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述基板支撑件是可旋转的。

9.如权利要求1所述的设备，其中所述多个气体注射器呈线性布置，并且所述多个气体注射器可操作以使一种或更多种化学物质以层流方式流动跨越所述基板支撑件的上表面。