[发明专利]具有深沟槽隔离结构的方法及半导体结构

摘要

晶体管阵列(300)的密度通过在半导体材料(114)中形成一个或多个深沟槽隔离结构(312，314)来增加。深沟槽隔离结构(312，314)横向围绕阵列(300)中的晶体管。深沟槽隔离结构(312，314)限制掺杂物的横向扩散和电子载流子的横向移动。

主权项

1.一种半导体结构，其包括：具有第一导电类型和顶表面的衬底；具有所述第一导电类型的外延层，所述外延层具有接触所述衬底的所述顶表面的底表面并具有顶表面；具有第二导电类型的第一掩埋区，所述第一掩埋区接触所述外延层的部分并位于所述外延层的所述部分下方；具有所述第一导电类型的第二掩埋区，其位于具有所述第二导电类型的所述第一掩埋区的横向间隔开的部分之间，并且所述第二掩埋区具有比所述衬底中的掺杂物浓度更大的掺杂物浓度；浅沟槽隔离结构，其形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中；内部深沟槽隔离结构，其形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中，所述内部深沟槽隔离结构横向围绕所述浅沟槽隔离结构；外部深沟槽隔离结构，其形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中，所述外部深沟槽隔离结构横向围绕所述内部深沟槽隔离结构；掺杂区，其形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中并延伸到所述内部深沟槽隔离结构和所述外部深沟槽隔离结构下方以接触具有所述第二导电类型的所述第一掩埋区，所述掺杂区具有所述第二导电类型、接触所述内部深沟槽隔离结构和所述外部深沟槽隔离结构并且横向围绕所述外延层的所述部分。