[发明专利]具有深沟槽隔离结构的方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

具有第一导电类型和顶表面的衬底；

具有所述第一导电类型的外延层，所述外延层具有接触所述衬底的所述顶表面的底表面并具有顶表面；

具有第二导电类型的第一掩埋区，所述第一掩埋区接触所述外延层的部分并位于所述外延层的所述部分下方；

具有所述第一导电类型的第二掩埋区，其位于具有所述第二导电类型的所述第一掩埋区的横向间隔开的部分之间，并且所述第二掩埋区具有比所述衬底中的掺杂物浓度更大的掺杂物浓度；

浅沟槽隔离结构，其形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中；

内部深沟槽隔离结构，其形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中，所述内部深沟槽隔离结构横向围绕所述浅沟槽隔离结构；

外部深沟槽隔离结构，其形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中，所述外部深沟槽隔离结构横向围绕所述内部深沟槽隔离结构；

掺杂区，其形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中并延伸到所述内部深沟槽隔离结构和所述外部深沟槽隔离结构下方以接触具有所述第二导电类型的所述第一掩埋区，所述掺杂区具有所述第二导电类型、接触所述内部深沟槽隔离结构和所述外部深沟槽隔离结构并且横向围绕所述外延层的所述部分。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括接触所述内部深沟槽隔离结构的所述第二导电类型的界面区，所述内部深沟槽隔离结构横向围绕所述界面区，所述界面区具有比所述掺杂区的掺杂物浓度更低的掺杂物浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括接触所述内部深沟槽隔离结构的所述第一导电类型的沟道停止区，所述浅沟槽隔离结构横向围绕所述沟道停止区。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中的绝缘深沟槽结构，所述绝缘深沟槽结构横向围绕所述外部深沟槽隔离结构，所述绝缘深沟槽结构和所述外部深沟槽隔离结构具有相等的深度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括形成在所述外延层的所述顶表面中以向下延伸到所述外延层中的绝缘深沟槽结构，所述内部深沟槽隔离结构横向围绕所述绝缘深沟槽结构，所述绝缘深沟槽结构和所述内部深沟槽隔离结构具有相等的深度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

形成在所述外延层的所述部分中的源极，所述源极具有所述第二导电类型；以及

形成在所述外延层的所述部分中的漏极，所述漏极与所述源极横向隔开并具有所述第二导电类型，所述浅沟槽隔离结构在横向上位于所述源极与所述漏极之间。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括接触并横向围绕所述外部深沟槽隔离结构的所述第二导电类型的界面区，所述界面区具有比所述掺杂区的掺杂物浓度更低的掺杂物浓度。

8.一种晶体管阵列，包括：

具有第一导电类型的半导体材料；

第一晶体管结构和第二晶体管结构，所述第一晶体管结构和所述第二晶体管结构中每个晶体管结构具有：

形成在所述半导体材料中的源极，所述源极具有第二导电类型；

形成在所述半导体材料中的漏极，所述漏极与所述源极横向隔开并具有所述第二导电类型；

形成在所述半导体材料中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构接触所述漏极；以及

形成在所述半导体材料中的深隔离结构，所述深隔离结构横向围绕所述第一晶体管结构和所述第二晶体管结构中的每一个晶体管结构的所述源极和所述漏极；

两个或更多个第一掩埋区，其接触所述半导体材料并位于所述两个或更多个晶体管结构下方，所述两个或更多个第一掩埋区中的每一个具有所述第二导电类型；以及

第二掩埋区，其接触所述半导体材料和所述第一掩埋区并且在横向上位于所述第一掩埋区之间，所述第二掩埋区具有所述第一导电类型和比所述半导体材料的掺杂物浓度更大的掺杂物浓度。